檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "Thin film".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="洪儒生"
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本研究使用超高頻電漿化學氣相沉積系統來製備微晶矽薄膜，同時利用放射光譜儀來觀測電漿中成分的變化，並將放射光譜儀的量測結果和薄膜的結構特性做比較。並藉由調整電漿功率、反應總壓、上下電極間距、氫氣稀釋比…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以設計出非晶…
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In this work, hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) films deposited through very high fr…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統製作非晶矽薄膜太陽電池。實驗結果顯示當[TMB]/[SiH4]=3時成長的p+層在電池應用獲得Jsc=16.81 mV/cm2、Voc=854 mV、F.…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數反應壓力及三甲基硼(TMB)摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以探求非晶…
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本研究係用射頻電漿系統沉積氫化非晶矽薄膜，調變製程重要參數如氫氣稀釋比、基材溫度、工作壓力以及電極間距等，藉由傅立葉轉換紅外光光譜儀(FT-IR)以及紫外光/可見光光譜儀(UV-VIS)等分析方法，…
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本論文主要以硒化照射程序所影響的缺陷分佈和本質缺陷的相互作用作為探討的議題，針對導入硒化照射程序的特性，開發其照射程序對於缺陷抑制的機制及效果。論文中以螢光光譜解析觀察缺陷抑制的變化，並探討缺陷對於…
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本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式，以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)分別為其鎵源和氮源合成氮化鎵結構。在一維結構方面，使用鍍上金觸媒的Si(100)、藍寶石單晶及氮化鎵單晶為基材來沈積氮化鎵。…
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本研究係在玻璃上塗布以TEOS溶膠-凝膠法合成的二氧化矽粒子於玻璃上並平滑化作為具光捕捉能力的散射層，之後再鍍上透明導電氧化物(TCO)層形成具光學散射功能的TCO玻璃並應用於矽基薄膜太陽能電池的製…
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本研究以三甲基硼(TMB)為摻雜物，使用射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)於玻璃基材上成長p型非晶碳化矽以及p型微晶矽薄膜，並分析其結構及光電性質，期望能製備出適用於薄膜太陽能電池的p…